基本碳化硅MOS在充电桩电源单级拓扑实测效率高于进口器件
为何基本碳化硅MOSFET在充电桩电源单级拓扑实测效率高于进口器件单级变换模块效率对比实测 --B2M040120Z, 实测成绩截图 (客户提供)某充电桩电源模块客户采用单级变换的拓扑(矩阵变换器),实测B2M040120Z与某进口品牌40mR同封装产品,对比效率B2M040120Z的效率表现比该进口品牌出色原因是B2M040120Z的Eoff优于对手,在软开关拓扑中,Eon被软掉了,Eoff优势就表现出来了。单级变换模块效率对比实测--某40mR进口品牌 实测成绩截图 (客